RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
3078
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link