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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3673
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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