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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
2930
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
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