RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3551
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link