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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En -27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3256
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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