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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
57
En 9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
57
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
2170
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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