RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3122
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link