RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
57
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
7.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
57
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
2170
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link