RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 57
    周辺 9% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 7.6
    テスト平均値
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    52 left arrow 57
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 9.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2179 left arrow 2170

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAMの比較

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB RAMの比較

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較