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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
29
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2422
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
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