RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2422
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link