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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Compara
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Puntuación global
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Puntuación global
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
59
En 53% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.9
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
59
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
2025
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
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