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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
59
Por volta de 53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
9.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
59
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
9.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
7.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2025
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
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