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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2189
2618
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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