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Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Compara
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2189
3372
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G4E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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