RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Compara
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Puntuación global
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
104
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.6
2,404.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
104
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,192.0
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,404.5
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
786
2107
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link