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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Compara
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Puntuación global
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
14900
En 1.43 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.3
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
21300
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2696
2609
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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