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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Compara
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
47
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
4.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
12800
10600
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
47
41
Velocidad de lectura, GB/s
8.4
12.2
Velocidad de escritura, GB/s
4.9
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
12800
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1210
2062
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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