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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
47
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.2
8.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.6
4.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
12800
10600
Por volta de 1.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
47
41
Velocidade de leitura, GB/s
8.4
12.2
Velocidade de escrita, GB/s
4.9
8.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
12800
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1210
2062
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G4M1 4GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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