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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
58
76
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2606U1S 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
2,107.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
76
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
1809
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD R744G2606U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
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