RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
58
En -123% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3124
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link