RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сравнить
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,107.0
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
58
Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,025.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,107.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
670
3124
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link