RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
58
En -38% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
42
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2476
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link