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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
52
En -189% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
18
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2179
3601
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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