RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
28
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
19
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
3314
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link