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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
28
Intorno -47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
7.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
19
Velocità di lettura, GB/s
12.7
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
3314
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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