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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Punteggio complessivo
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Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 11
    Valore medio nei test
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Motivi da considerare
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    46 left arrow 66
    Intorno -43% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.7 left arrow 2,978.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    66 left arrow 46
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,929.1 left arrow 11.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    2,978.2 left arrow 8.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    511 left arrow 2481

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM

OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
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Memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
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Memoria RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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Memoria RAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Memoria RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Memoria RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Memoria RAM
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Samsung M392B5273CH0-YH9 4GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5471-002.A00LF 2GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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