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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Note globale
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Note globale
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Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 11
    Valeur moyenne dans les tests
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB Raisons de considérer
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    46 left arrow 66
    Autour de -43% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.7 left arrow 2,978.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 6400
    Autour de 2.66 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    66 left arrow 46
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,929.1 left arrow 11.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,978.2 left arrow 8.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    511 left arrow 2481

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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