RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
94
Intorno -213% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.3
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
30
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
1651
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link