RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
33
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
31
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3935
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link