RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
31
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
3935
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link