RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
33
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.7
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
31
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3935
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link