RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Confronto
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
33
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
17.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
31
Velocità di lettura, GB/s
17.6
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2910
3935
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-D8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KI5 1GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link