RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
78
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
78
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2113
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link