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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
78
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
78
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2113
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
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