RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
58
En -115% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3337
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology AM2U139C4P2-S01S 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link