RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Compara
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
52
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
4200
En 4.57 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
24
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
19200
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
2969
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link