Comparación de la memoria RAM TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Puntuación global

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 20.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

870.4 10.1

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

52 87

En -67% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

17000 5300

En 3.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

417 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns