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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
10.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
87
En -67% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
52
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2472
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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