Comparaison de la RAM TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Note globale

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

3 20.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

870.4 10.1

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

52 87

Autour de -67% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 5300

Autour de 3.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

417 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns