RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
31
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
31
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2918
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link