Comparação RAM TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Pontuação geral

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 20.5

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

870.4 10.1

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

52 87

Por volta de -67% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps

17000 5300

Por volta de 3.21 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

417 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns