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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
58
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
2821
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
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