Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Puntuación global
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Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 31
    En 3% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.5 left arrow 8.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 5.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 10600
    En 2.01 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.6 left arrow 14.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.4 left arrow 11.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1344 left arrow 2892
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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