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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
35
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
3052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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