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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
35
Intorno 14% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
8.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
35
Velocità di lettura, GB/s
8.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1344
3052
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Confronto tra le RAM
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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