Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Puntuación global
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 48
    En 38% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    8.9 left arrow 8.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    5.9 left arrow 5.4
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    30 left arrow 48
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.6 left arrow 8.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.4 left arrow 5.9
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1344 left arrow 1420
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones