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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Puntuación global
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
48
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
8.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
5.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
48
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1344
1420
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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