RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
8.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
5.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
30
48
Prędkość odczytu, GB/s
8.6
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.4
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
10600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1344
1420
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link