Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 против Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

-->

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 48

Около 38% меньшая задержка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

8.9 8.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

5.9 5.4

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

30 48
Скорость чтения, Гб/сек

8.6 8.9
Скорость записи, Гб/сек

5.4 5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1344 1420

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

Kingston 9905702-008.A00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

G Skill Intl F3-1600C9-8GXM 8GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB

Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB

Kingston 9905403-02X.B00LF 4GB

Kingston 9905712-016.A00G 16GB

Kingston 9905712-016.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB

модули RAM