Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 48

Autour de 38% latence réduite

Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

8.9 8.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

5.9 5.4

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1344 1420

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns