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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Gesamtnote
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
48
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
5.4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
30
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
5.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1344
1420
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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