RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 48

Rund um 38% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

8.9 8.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

5.9 5.4

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1344 1420

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns